計算ツール
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
データシート
LMG2640
- 650V GaN パワー FET ハーフブリッジ
- 105mΩ ローサイドおよびハイサイド GaN FET
- 伝搬遅延が小さく、内蔵ゲート ドライバ
- 広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
- ローサイド / ハイサイド ゲート ドライブ インターロック
- ハイサイド ゲート ドライブ信号レベル シフタ
- スマート スイッチ付きブートストラップ ダイオード機能
- ハイサイドの起動：8µs 未満
- ローサイド / ハイサイドのサイクルごとの過電流保護
- FLT ピン通知付きの過熱保護
- AUX アイドル静止電流：250µA
- AUX スタンバイ静止電流：50µA
- BST アイドル静止電流：65µA
- 電源および入力ロジック ピン最大電圧：26 V
- デュアル サーマル パッド付き 9mm × 7mm QFN パッケージ
LMG2640 は、スイッチ モード電源アプリケーション用 650V GaN パワー FET ハーフブリッジです。LMG2640 は、ハーフブリッジ パワー FET、ゲート ドライバ、ブートストラップ ダイオード、ハイサイド ゲート ドライブ レベル シフタを 9mm x 7mm の QFN パッケージに統合することで、設計の簡素化、部品点数の低減、基板面積の低減を実現しています。
ローサイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗方式よりも消費電力を低減でき、またローサイドのサーマル パッドを冷却用 PCB 電源グランドに接続できます。
ハイサイド ゲート ドライブ信号レベル シフタにより、外付けソリューションに見られるノイズとバースト モード電力消費の問題を解消できます。スマート スイッチ付き GaN ブートストラップ FET は、ダイオードの順方向電圧降下がなく、ハイサイド電源の過充電を回避でき、逆方向回復電荷はゼロです。
LMG2640 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能には、FET ターンオン インターロック、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の電流制限、過熱シャットダウンが含まれます。
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
ドーター・カード
LMG2640EVM-090 — LMG2640 ドーターカード
LMG2640ドーター カードの評価基板 (EVM) は、各種ハーフブリッジ トポロジに搭載した TI の統合型 GaN デバイスを迅速かつ容易に評価するプラットフォームを実現できる設計を採用しています。この基板は、ボード底面のエッジにある 6 本の電源ピンと 10 本のデジタル ピンを使用して、より大規模なシステムに接続できる設計を採用しています。電源ピンは、高電圧 DC バス、スイッチ ノード、電源グランドで構成されるメイン スイッチング ループを形成します。デジタル ピンは、PWM ゲート入力を使用して LMG2640 (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN (RRG) | 40 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブ拠点
- アセンブリ拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。