TLV1117LV
- 典型精度：1.5%
- 低 IQ：100µA（最大值）
- 比标准 1117 器件低 500 倍
- VIN：2 V 至 5.5 V
- VIN 绝对最大值：6V
- 输出电流为 0mA 时运行稳定
- 低压降：VOUT = 3.3V，1A 时为 455mV
- 高 PSRR：1kHz 时为 65dB
- 最小额定电流限制：1.1A
- 与具有成本效益的陶瓷电容器一起工作时运行稳定：
- 等效串联电阻 (ESR) 为 0Ω
- 温度范围：–40°C 至 +125°C
- 热关断保护和过流保护
- 有关具有升级功能的直接替代产品，请参阅 TLV761
- 采用 SOT-223 封装
- 请参阅本文档末尾的机械、封装和可订购信息 部分，了解可用电压选项的完整列表。
TLV1117LV 低压降 (LDO) 线性稳压器是普及型 TLV1117 稳压器的低输入电压版本。
TLV1117LV 是一款静态电流比传统 1117 稳压器低 500 倍的超低功耗器件，非常适合专为需要超低待机电流的应用而设计的器件。TLV1117LV LDO 还可在 0mA 负载电流下保持稳定；没有最低负载要求，这使得此器件非常适合于必须在待机时为极小负载供电，同时又可在正常工作期间提供大约 1A 大电流的应用。TLV1117LV 可提供出色的线路与负载瞬态性能，从而可在负载电流要求由不足 1mA 变为超过 500mA 时产生幅值极低的下冲与过冲输出电压。
高精度带隙与误差放大器支持 1.5% 的精度。凭借超高电源抑制比 (PSRR)，该器件适用于开关稳压器的后稳压操作。其它重要特性还包括低输出噪声与低压降电压等。
该器件可通过内部补偿，在使用 0 Ω ESR 电容器时保持稳定。这些重要优势可实现对低成本小型陶瓷电容器的使用。此外，在必要时还可使用具有较高偏置电压和温度降额的低成本电容器。
TLV1117LV 采用 SOT-223 封装。
技术文档
| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TLV1117LV 1A、固定正电压、低压降稳压器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 1月 31日 |
| 应用手册 | LDO 噪声揭秘 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2020年 9月 16日 | |
| 应用手册 | A Topical Index of TI LDO Application Notes (Rev. F) | 2019年 6月 27日 | ||||
| 选择指南 | Low Dropout Regulators Quick Reference Guide (Rev. P) | 2018年 3月 21日 | ||||
| 应用手册 | LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) | PDF | HTML | 2017年 8月 9日 | |||
| 选择指南 | 低压降稳压器快速参考指南 (Rev. M) | 最新英语版本 (Rev.P) | 2017年 1月 5日 | |||
| 更多文献资料 | The Differences Between TLV1117LV and TLV1117 | 2011年 8月 2日 | ||||
| EVM 用户指南 | TLV1117LVxxEVM-714 Evaluation Module User's Guide (Rev. B) | 2011年 5月 26日 |
设计和开发
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-223 (DCY) | 4 | Ultra Librarian |
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