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LM74704-Q1

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具有 FET 良好开漏输出的汽车类理想二极管控制器

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Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.37 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Design support EVM Rating Automotive Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.37 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Design support EVM Rating Automotive Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1： -40°C 至 125°C的环境工作温度范围
  • 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
  • -65V 反向电压额定值
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
  • 20mV ANODE 至 CATHODE 引脚正向压降调节
  • 使能引脚特性
  • 1µA 关断电流（EN = 低电平）
  • 80µA 工作静态电流（EN = 高电平）
  • 2.3A 峰值栅极关断电流
  • 用以指示外部 MOSFET 运行状况的 FETGOOD 输出
  • 快速响应反向电流阻断： 小于 0.75µs
  • 扩展频率范围（150kHz 至 1GHz）内的 EMI 性能
  • 采用外部 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 2.90mm × 1.60mm 8 引脚 SOT-23 封装
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1： -40°C 至 125°C的环境工作温度范围
  • 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
  • -65V 反向电压额定值
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
  • 20mV ANODE 至 CATHODE 引脚正向压降调节
  • 使能引脚特性
  • 1µA 关断电流（EN = 低电平）
  • 80µA 工作静态电流（EN = 高电平）
  • 2.3A 峰值栅极关断电流
  • 用以指示外部 MOSFET 运行状况的 FETGOOD 输出
  • 快速响应反向电流阻断： 小于 0.75µs
  • 扩展频率范围（150kHz 至 1GHz）内的 EMI 性能
  • 采用外部 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 2.90mm × 1.60mm 8 引脚 SOT-23 封装

LM74703-Q1、LM74704-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器，与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反极性保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对常用直流总线电压（例如 12V、24V 和 48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持可满足汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压，并提供负载保护。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关机，并提供零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断，因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。LM74703-Q1、LM74704-Q1 具有 FETGOOD 输出，用于指示外部 MOSFET 漏源短路或开路情况。该器件具有使能引脚 (EN)。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流。

LM74703-Q1、LM74704-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器，与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反极性保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对常用直流总线电压（例如 12V、24V 和 48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持可满足汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压，并提供负载保护。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关机，并提供零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断，因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。LM74703-Q1、LM74704-Q1 具有 FETGOOD 输出，用于指示外部 MOSFET 漏源短路或开路情况。该器件具有使能引脚 (EN)。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流。
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证书 LM74704Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 5月 4日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LM74704Q1EVM — LM74704-Q1 和 LM74703-Q1 理想二极管控制器评估模块

LM74704Q1EVM 评估模块 (EVM) 可帮助评估 LM74703-Q1 和 LM74704-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此 EVM 展示了 LM74704-Q1 作为理想二极管整流器如何与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，利用 20mV 正向压降实现低损耗反极性保护，并以 FET_GOOD 输出来指示外部 FET 状态。

用户指南: PDF | HTML
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该参考设计攻克了通常与更换标准熔断型保险丝相关的挑战。通过实施 TPS1213-Q1 高侧开关控制器、INA296B-Q1 电流检测放大器和微控制器，该设计可提供 I2t 过流保护、低功耗模式（用于更大限度地降低功耗），并能够驱动阻性、容性和感性负载。该设计包含许多配置选项，其中的双向电流检测支持工程师针对高电流智能保险丝应用运行各种测试。
设计指南: PDF
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  • 鉴定摘要
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