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UCC27288

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具有 8V UVLO 且无内部自举二极管的 2.5A 至 3.5A 120V 半桥驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 3.5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features External bootstrap diode Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 3.5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features External bootstrap diode Driver configuration Dual inputs
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1800pF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 可配置的外部自举二极管
  • 8V 典型欠压锁定
  • 输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V)
  • HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14 V)
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 输入相互独立且 VDD
  • 两个通道的欠压锁定
  • 额定结温范围为 –40°C 至 140°C
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1800pF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 可配置的外部自举二极管
  • 8V 典型欠压锁定
  • 输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V)
  • HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14 V)
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 输入相互独立且 VDD
  • 两个通道的欠压锁定
  • 额定结温范围为 –40°C 至 140°C

UCC27288 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27288 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27288 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。两个输入完全相互独立，因此提供了额外的控制设计灵活性。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。输入完全相互独立。这允许控制灵活性，如果需要，两个输出可以通过重叠输入重叠。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而提高系统效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。没有集成的自举二极管允许用户使用适合应用的外部自举二极管。UCC27288 采用 SOIC8 封装，可在恶劣环境下提高系统稳健性。

UCC27288 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27288 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27288 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。两个输入完全相互独立，因此提供了额外的控制设计灵活性。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。输入完全相互独立。这允许控制灵活性，如果需要，两个输出可以通过重叠输入重叠。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而提高系统效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。没有集成的自举二极管允许用户使用适合应用的外部自举二极管。UCC27288 采用 SOIC8 封装，可在恶劣环境下提高系统稳健性。
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设计和开发

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评估板

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UCC27288EVM 适用于评估 UCC27288D，后者是一款具备 2.5A 峰值拉电流和 3.5A 峰值灌电流能力的 100V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用作驱动功率 MOSFET 的参考设计，驱动电压高达 20V。
用户指南: PDF
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计算工具

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支持的产品和硬件

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  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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