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UCC27301A

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具有 8V UVLO、使能和互锁功能的 120V、4A 半桥驱动器

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Negative voltage handling Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Negative voltage handling Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRC) 10 9 mm² 3 x 3
  • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
  • -40°C 至 +150°C 的结温范围
  • HB 引脚上的 120V 绝对最大电压
  • 3.7A 灌电流,4.5A 拉电流输出
  • 8V 至 17V VDD 工作范围(绝对最大值 20V),具有 UVLO 功能
  • HS 引脚上的 -(28-VDD)V 绝对最大负瞬态容差(< 100ns 脉冲)
  • -10V 至 +20V 绝对最大输入引脚容差,与电源电压范围无关(与 TTL 兼容)
  • 开关参数:
    • 20ns 典型传播延迟时间
    • 1000pF 负载时上升时间为 7.2ns,下降时间为 5.5ns
    • 4ns 典型延迟匹配
  • 集成式自举二极管
  • 输入互锁
  • 启用/禁用功能,且禁用时电流消耗较低(典型值为 3µA)(仅限 DRC 封装)
  • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
  • -40°C 至 +150°C 的结温范围
  • HB 引脚上的 120V 绝对最大电压
  • 3.7A 灌电流,4.5A 拉电流输出
  • 8V 至 17V VDD 工作范围(绝对最大值 20V),具有 UVLO 功能
  • HS 引脚上的 -(28-VDD)V 绝对最大负瞬态容差(< 100ns 脉冲)
  • -10V 至 +20V 绝对最大输入引脚容差,与电源电压范围无关(与 TTL 兼容)
  • 开关参数:
    • 20ns 典型传播延迟时间
    • 1000pF 负载时上升时间为 7.2ns,下降时间为 5.5ns
    • 4ns 典型延迟匹配
  • 集成式自举二极管
  • 输入互锁
  • 启用/禁用功能,且禁用时电流消耗较低(典型值为 3µA)(仅限 DRC 封装)

UCC27301A 是一款强大的栅极驱动器,专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计,绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力,UCC27301A 可在驱动大功率 MOSFET 的同时,使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点(HS 引脚)可处理负瞬态电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

输入与电源电压无关,并且能够承受 -10V 和 +20V 的绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器彼此之间的开通和关断时间均为 4ns,并通过 LI 和 HI 输入引脚独立控制。不过,只要 LI 和 HI 输入同时为高电平,输入互锁逻辑就会将两个驱动器输出变为低电平。由于使用了一个额定电压为 120V 的片上自举二极管,因此无需添加分立式自举二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定 (UVLO) 功能,可提供对称的开通和关断行为,并且能够在驱动电压低于额定阈值时将输出强制为低电平。

UCC27301A 是一款强大的栅极驱动器,专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计,绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力,UCC27301A 可在驱动大功率 MOSFET 的同时,使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点(HS 引脚)可处理负瞬态电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

输入与电源电压无关,并且能够承受 -10V 和 +20V 的绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器彼此之间的开通和关断时间均为 4ns,并通过 LI 和 HI 输入引脚独立控制。不过,只要 LI 和 HI 输入同时为高电平,输入互锁逻辑就会将两个驱动器输出变为低电平。由于使用了一个额定电压为 120V 的片上自举二极管,因此无需添加分立式自举二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定 (UVLO) 功能,可提供对称的开通和关断行为,并且能够在驱动电压低于额定阈值时将输出强制为低电平。

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技术文档

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* 数据表 UCC27301A 具有 8V UVLO、互锁和使能功能的 120V、3.7A/4.5A 半桥驱动器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 5月 17日
应用手册 如何为直流电机驱动器选择栅极驱动器 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 10月 6日
应用手册 Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. 2020年 5月 12日
应用简报 Small Price Competitive 100-V Driver for 48-V BLDC Motor Drives 2019年 10月 22日
应用手册 UCC27282 Improving motor drive system robustness 2019年 1月 11日

设计和开发

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评估板

UCC27282EVM-335 — UCC27282 120V、3A、5V UVLO 高侧低侧栅极驱动器评估模块

UCC27282EVM-335 适用于评估 UCC27282DRC,后者是一种具备高峰值拉电流和灌电流能力的 120V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

UCC27288EVM — UCC27288 100V、3A、8V UVLO 半桥栅极驱动器评估模块

UCC27288EVM 适用于评估 UCC27288D,后者是一款具备 2.5A 峰值拉电流和 3.5A 峰值灌电流能力的 100V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用作驱动功率 MOSFET 的参考设计,驱动电压高达 20V。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

UCC27301AQDDARQ1 PSpice Model

SLUM893.ZIP (28 KB) - PSpice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (DRC) 10 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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