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DRV8323R

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降圧レギュレータ / 電流シャント アンプ搭載、最大 65V の 3 相スマート ゲート ドライバ

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製品詳細

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 6 Vs ABS (max) (V) 65 Features Buck Step Down Converter, Current sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 6 Vs ABS (max) (V) 65 Features Buck Step Down Converter, Current sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RGZ) 48 49 mm² 7 x 7
  • トリプル・ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
    • 3つのハイサイドと3つのローサイドのNチャネルMOSFET（NMOS）を駆動
  • スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
    • 調整可能なスルー・レート制御
    • 10mA～1Aのピーク・ソース電流
    • 20mA～2Aのピーク・シンク電流
  • ゲート・ドライバ電源を内蔵
    • 100%のPWMデューティ・サイクルをサポート
    • ハイサイドのチャージ・ポンプ
    • ローサイドのリニア・レギュレータ
  • 6V～60Vの動作電圧範囲
  • 降圧レギュレータ内蔵（オプション）
    • LMR16006X SIMPLE SWITCHER®
    • 4～60Vの動作電圧範囲
    • 0.8～60Vで600mAの出力能力
  • トリプル電流センス・アンプ（CSA）内蔵（オプション）
    • 可変ゲイン（5、10、20、40V/V）
    • 双方向または単方向のサポート
  • SPIおよびハードウェア・インターフェイスを利用可能
  • 6x、3x、1x、および独立PWMモード
  • 1.8V、3.3V、5Vのロジック入力電圧をサポート
  • 低消費電力のスリープ・モード（12µA）
  • リニア電圧レギュレータ、3.3V、30mA
  • 小型で占有面積の小さいQFNパッケージ
  • パワー・ブロックによる効率的なシステム設計
  • 保護機能を内蔵
    • VM低電圧誤動作防止（UVLO）
    • チャージ・ポンプ低電圧（CPUV）
    • MOSFET過電流保護（OCP）
    • ゲート・ドライバ障害（GDF）
    • 熱警告およびシャットダウン（OTW/OTSD）
    • 障害状況インジケータ（nFAULT）
  • トリプル・ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
    • 3つのハイサイドと3つのローサイドのNチャネルMOSFET（NMOS）を駆動
  • スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
    • 調整可能なスルー・レート制御
    • 10mA～1Aのピーク・ソース電流
    • 20mA～2Aのピーク・シンク電流
  • ゲート・ドライバ電源を内蔵
    • 100%のPWMデューティ・サイクルをサポート
    • ハイサイドのチャージ・ポンプ
    • ローサイドのリニア・レギュレータ
  • 6V～60Vの動作電圧範囲
  • 降圧レギュレータ内蔵（オプション）
    • LMR16006X SIMPLE SWITCHER®
    • 4～60Vの動作電圧範囲
    • 0.8～60Vで600mAの出力能力
  • トリプル電流センス・アンプ（CSA）内蔵（オプション）
    • 可変ゲイン（5、10、20、40V/V）
    • 双方向または単方向のサポート
  • SPIおよびハードウェア・インターフェイスを利用可能
  • 6x、3x、1x、および独立PWMモード
  • 1.8V、3.3V、5Vのロジック入力電圧をサポート
  • 低消費電力のスリープ・モード（12µA）
  • リニア電圧レギュレータ、3.3V、30mA
  • 小型で占有面積の小さいQFNパッケージ
  • パワー・ブロックによる効率的なシステム設計
  • 保護機能を内蔵
    • VM低電圧誤動作防止（UVLO）
    • チャージ・ポンプ低電圧（CPUV）
    • MOSFET過電流保護（OCP）
    • ゲート・ドライバ障害（GDF）
    • 熱警告およびシャットダウン（OTW/OTSD）
    • 障害状況インジケータ（nFAULT）

DRV832xファミリのデバイスは、3相アプリケーション用の統合ゲート・ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。DRV832xは、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイドMOSFET用の、リニア・レギュレータを使用してローサイドMOSFET用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。スマート・ゲート・ドライブのアーキテクチャは、最大でソース1A、シンク2Aのピーク・ゲート駆動電流をサポートします。DRV832xは単一電源で動作し、ゲート・ドライバについて6～60V、オプションの降圧レギュレータについて4～60Vの広い入力電源電圧に対応します。

6x、3x、1x、および独立入力のPWMモードにより、コントローラの回路と簡単に接続できます。ゲート・ドライバとデバイスの構成設定は、SPIまたはハードウェア（H/W）インターフェイスにより細かく変更可能です。DRV8323およびDRV8323Rデバイスには3つのローサイド電流センス・アンプが内蔵されており、駆動段の3相すべてについて、双方向の電流センシングが可能です。DRV8320RおよびDRV8323Rデバイスには、600mAの降圧レギュレータが内蔵されています。

低消費電力のスリープ・モードがあり、内部回路のほとんどをシャットダウンして、静止電流を低減できます。低電圧誤動作防止、チャージ・ポンプ障害、MOSFET過電流、MOSFET短絡、ゲート・ドライバ障害、過熱への保護機能が内蔵されています。障害状況はnFAULTピンにより通知され、SPI版のデバイスではデバイスのレジスタにより詳細が通知されます。

DRV832xファミリのデバイスは、3相アプリケーション用の統合ゲート・ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。DRV832xは、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイドMOSFET用の、リニア・レギュレータを使用してローサイドMOSFET用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。スマート・ゲート・ドライブのアーキテクチャは、最大でソース1A、シンク2Aのピーク・ゲート駆動電流をサポートします。DRV832xは単一電源で動作し、ゲート・ドライバについて6～60V、オプションの降圧レギュレータについて4～60Vの広い入力電源電圧に対応します。

6x、3x、1x、および独立入力のPWMモードにより、コントローラの回路と簡単に接続できます。ゲート・ドライバとデバイスの構成設定は、SPIまたはハードウェア（H/W）インターフェイスにより細かく変更可能です。DRV8323およびDRV8323Rデバイスには3つのローサイド電流センス・アンプが内蔵されており、駆動段の3相すべてについて、双方向の電流センシングが可能です。DRV8320RおよびDRV8323Rデバイスには、600mAの降圧レギュレータが内蔵されています。

低消費電力のスリープ・モードがあり、内部回路のほとんどをシャットダウンして、静止電流を低減できます。低電圧誤動作防止、チャージ・ポンプ障害、MOSFET過電流、MOSFET短絡、ゲート・ドライバ障害、過熱への保護機能が内蔵されています。障害状況はnFAULTピンにより通知され、SPI版のデバイスではデバイスのレジスタにより詳細が通知されます。
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技術資料

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設計と開発

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リファレンス・デザイン

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リファレンス・デザイン

TIDA-01485 — 3 相 BLDC モーター向け、36V、1kW、効率 99%、18cm2、電力段のリファレンス デザイン

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設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (RGZ) 48 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

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