LM5102
- Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
- Independently Programmable High and Low Side Rising Edge Delay
- Bootstrap Supply Voltage Range up to 118 V dc
- Fast Turn-Off Propagation Delay (25 ns Typical)
- Drives 1000-pF Loads with 15-ns Rise and Fall Times
- Supply Rail Undervoltage Lockout
- Low Power Consumption
- Timer Can Be Terminated Midway Through Sequence
The LM5102 high-voltage gate driver is designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with supply voltages up to 100 V. The outputs are independently controlled. The rising edge of each output can be independently delayed with a programming resistor. An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from control logic to the high side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard VSSOP 10 pin and the WSON 10 pin packages.
For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | LM5102 High-Voltage Half-Bridge Gate Driver With Programmable Delay 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 2014年 12月 15日 | ||
应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 |
设计和开发
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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VSSOP (DGS) | 10 | Ultra Librarian |
WSON (DPR) | 10 | Ultra Librarian |
订购和质量
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