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理想二极管/ORing 控制器

LM7481

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具有高栅极驱动、温度范围为 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器

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LM7481

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产品详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 350 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 350 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • 适用于扩展温度范围的应用
    • 器件温度： -55°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 9.1mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (–4mV)，能够快速响应 (0.5µs)
  • 高达 200KHz 的有源整流
  • 60mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 集成 3.8mA 电荷泵
  • 可调节过压保护
  • 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • 适用于扩展温度范围的应用
    • 器件温度： -55°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 9.1mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (–4mV)，能够快速响应 (0.5µs)
  • 高达 200KHz 的有源整流
  • 60mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 集成 3.8mA 电荷泵
  • 可调节过压保护
  • 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

LM74810 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V至 65V的宽输入电源可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM74810 采用线性稳压和比较器方案实现反向电流阻断。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM74810 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影响。

LM74810 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V至 65V的宽输入电源可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM74810 采用线性稳压和比较器方案实现反向电流阻断。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM74810 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影响。
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* 数据表 LM7481 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V 理想二极管控制器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2021年 3月 8日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LM74810EVM — LM7481-Q1 理想二极管控制器评估模块

TI 的评估模块 LM74810EVM 可帮助设计人员评估 LM7481-Q1 理想二极管控制器 (LM74810QDRR) 在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示 LM7481-Q1 理想二极管控制器为更高功率 (>100W) 汽车 ECU 设计提供反向电池保护的能力。该器件控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET，首先连接理想二极管 MOSFET，之后连接第二个 MOSFET 以实现开关输出和电源路径切断。
用户指南: PDF | HTML
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计算工具

FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
理想二极管/ORing 控制器
LM74502 — 具有负载断开和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器 LM74502-Q1 — 汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 60μA LM74502H — 具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器 LM74502H-Q1 — 汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 11mA LM74720-Q1 — 具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 LM74721-Q1 — 具有有源整流功能的汽车类无 TVS、低 IQ 反向电池保护理想二极管控制器 LM74722-Q1 — 具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 LM7480 — 具有 -55°C 至 125°C 工作温度范围的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器 LM7480-Q1 — 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器 LM7481 — 具有高栅极驱动、温度范围为 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器 LM7481-Q1 — 具有有源整流功能、可驱动 B2B NFET 的汽车类理想二极管控制器
高侧开关控制器
TPS1200-Q1 — Automotive, 45V low-Iq high side driver with protection and diagnostics TPS1210-Q1 — Automotive, 45V low-Iq dual high-side driver with short circuit protection and diagnostics TPS1211-Q1 — Automotive, 3.5V to 45V high-side driver with protection and diagnostics TPS1213-Q1 — 具有低功耗模式和可调节短路保护功能的汽车级 45V 低 Iq 高侧驱动器 TPS1214-Q1 — 具有低 Iq、低功耗、负载唤醒、I²t 和诊断功能的汽车级高侧开关控制器 TPS4800-Q1 — Automotive, 100V low-Iq high side driver with protection and diagnostics TPS4810-Q1 — Automotive, 100V low-Iq dual high-side driver with short circuit protection and diagnostics TPS4811-Q1 — Automotive, 3.5V to 100V high-side driver with protection and diagnostics
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WSON (DRR) 12 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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