计算工具
UCC27200-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：器件温度等级 1
- -40°C 至 +150°C 的结温范围
- 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道 MOSFET
- 最大引导电压：120V
- 最大 VDD 电压：20V
- 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自举二极管
- 22ns 传播延迟时间
- 3A 灌电流，3A 拉电流输出
- 1000pF 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 7ns
- 1ns 延迟匹配
UCC27200-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。
由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，如果驱动电压低于规定的阈值，则强制将输出置为低电平。
UCC27200-Q1 具有高抗噪 CMOS 输入阈值。
该器件采用 8 引脚 SO PowerPAD™ (DDA) 封装。
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设计和开发
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仿真模型
UCC27200 and UCC27200A TINA-TI Transient Reference Design
SLUM112.TSC (138 KB) - TINA-TI Reference Design
模拟工具
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