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UCC27284-Q1

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具有 5V UVLO 的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器

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Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 5.5 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 3.5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features Enable TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 5.5 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 3.5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features Enable TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 温度等级 1（Tj = –40°C 至 150°C）
    • 器件 HBM ESD 分类等级 1B
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 5V 典型欠压锁定
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 输入上的 5V 负电压处理能力
  • HS 上的 14V 负电压处理能力
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 集成式自举二极管
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 温度等级 1（Tj = –40°C 至 150°C）
    • 器件 HBM ESD 分类等级 1B
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 5V 典型欠压锁定
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 输入上的 5V 负电压处理能力
  • HS 上的 14V 负电压处理能力
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 集成式自举二极管

UCC27284 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27284 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27284 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。在次级侧全桥同步整流等应用中，如需要，可实现两路输入及其各自输出的重叠。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时强制将输出置为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。 UCC27284-Q1 采用 SOIC 封装，适用于恶劣的系统环境。

UCC27284 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27284 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27284 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。在次级侧全桥同步整流等应用中，如需要，可实现两路输入及其各自输出的重叠。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时强制将输出置为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。 UCC27284-Q1 采用 SOIC 封装，适用于恶劣的系统环境。
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UCC27282EVM-335 适用于评估 UCC27282DRC，后者是一种具备高峰值拉电流和灌电流能力的 120V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
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