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UCC27282-Q1

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具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车级 3A、120V 半桥驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 5.5 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 3.5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features Enable, Interlock TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 5.5 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 3.5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features Enable, Interlock TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRC) 10 9 mm² 3 x 3
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 温度等级 1（Tj = –40°C 至 150°C）
    • HBM ESD 分类等级 1B
    • CDM ESD 分类等级 C3
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 5V 典型欠压锁定
  • 输入互锁
  • 在 DRC 封装中启用/禁用功能
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5 V)
  • HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (–14 V)
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 禁用时消耗的电流很低 (7µA)
  • 集成式自举二极管
  • 提供功能安全
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 温度等级 1（Tj = –40°C 至 150°C）
    • HBM ESD 分类等级 1B
    • CDM ESD 分类等级 C3
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 5V 典型欠压锁定
  • 输入互锁
  • 在 DRC 封装中启用/禁用功能
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5 V)
  • HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (–14 V)
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 禁用时消耗的电流很低 (7µA)
  • 集成式自举二极管
  • 提供功能安全

UCC27282 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27282 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件，提供额外的系统灵活性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。UCC27282 -Q1 采用小型封装，因此可支持高密度设计。

UCC27282 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27282 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件，提供额外的系统灵活性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。UCC27282 -Q1 采用小型封装，因此可支持高密度设计。
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