UCC27211A-Q1

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具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器

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Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -12 Features Negative voltage handling TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -12 Features Negative voltage handling TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:器件温度 1 级
  • -40°C 至 +150°C 的结温范围
  • 通过独立输入驱动高侧和低侧配置中的两个 N 通道 MOSFET
  • 最大启动电压 120VDC
  • 3.7A 输出拉电流、4.5A 输出灌电流
  • 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压,并且与电源电压范围无关
  • TTL 兼容输入
  • 8V 至 17V VDD 工作范围(绝对最大值为 20V)
  • 1000pF 负载时上升时间为 7.2ns,下降时间为 5.5ns
  • 快速传播延迟时间(典型值 20ns)
  • 4ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
  • 采用业界通用 SO-PowerPAD SOIC-8 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:器件温度 1 级
  • -40°C 至 +150°C 的结温范围
  • 通过独立输入驱动高侧和低侧配置中的两个 N 通道 MOSFET
  • 最大启动电压 120VDC
  • 3.7A 输出拉电流、4.5A 输出灌电流
  • 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压,并且与电源电压范围无关
  • TTL 兼容输入
  • 8V 至 17V VDD 工作范围(绝对最大值为 20V)
  • 1000pF 负载时上升时间为 7.2ns,下降时间为 5.5ns
  • 快速传播延迟时间(典型值 20ns)
  • 4ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
  • 采用业界通用 SO-PowerPAD SOIC-8 封装

UCC27211A-Q1 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器;但该器件相比之下具有显著的性能提升。

峰值输出上拉和下拉电流已提高至 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流,因此可在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构可直接处理 -10VDC 电压,这提高了器件的稳健性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外,输入还独立于电源电压,且具有 20V 的最大额定值。

UCC27211A-Q1 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 -(24 - VDD)V 电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27211A-Q1(TTL 输入)具有更高的迟滞,因而支持连接至具有增强型抗噪性能的模拟或数字 PWM 控制器。

低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,且彼此的开通和关断时间均为 4ns。由于使用了一个额定电压为 120V 的片上自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的开通和关断行为,并且能够在驱动电压低于额定阈值时将输出强拉至低电平。

UCC27211A-Q1 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器;但该器件相比之下具有显著的性能提升。

峰值输出上拉和下拉电流已提高至 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流,因此可在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构可直接处理 -10VDC 电压,这提高了器件的稳健性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外,输入还独立于电源电压,且具有 20V 的最大额定值。

UCC27211A-Q1 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 -(24 - VDD)V 电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27211A-Q1(TTL 输入)具有更高的迟滞,因而支持连接至具有增强型抗噪性能的模拟或数字 PWM 控制器。

低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,且彼此的开通和关断时间均为 4ns。由于使用了一个额定电压为 120V 的片上自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的开通和关断行为,并且能够在驱动电压低于额定阈值时将输出强拉至低电平。

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仿真模型

UCC27211 PSpice Transient Model

SLUM245.ZIP (31 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC27211 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM304.TSC (107 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

UCC27211 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM305.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

UCC27211 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM504.ZIP (1 KB) - PSpice Model
计算工具

SLURB12 UCC272xx Schematic Review Template

支持的产品和硬件

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