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MOSFET

CSD25211W1015

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ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1mm x 1.5mm のシングル WLP 封止、33mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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製品詳細

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 44 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 3.4 QGD (typ) (nC) 0.2 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 44 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 3.4 QGD (typ) (nC) 0.2 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25
  • 非常に小さいオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 1.0mm × 1.5mm の小さな占有面積
  • 高さ 0.62mm の低プロファイル
  • 鉛フリー
  • ゲート・ソース電圧クランプ
  • ゲート ESD 保護 (HBM)：3kV
  • RoHS に準拠
  • ハロゲン不使用
  • 非常に小さいオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 1.0mm × 1.5mm の小さな占有面積
  • 高さ 0.62mm の低プロファイル
  • 鉛フリー
  • ゲート・ソース電圧クランプ
  • ゲート ESD 保護 (HBM)：3kV
  • RoHS に準拠
  • ハロゲン不使用

デバイスは、可能な限り小さな外形で最低のオン抵抗およびゲート電荷を実現し、非常に薄型で優れた熱特性を持つよう設計されています。

デバイスは、可能な限り小さな外形で最低のオン抵抗およびゲート電荷を実現し、非常に薄型で優れた熱特性を持つよう設計されています。
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技術資料

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アプリケーション・ノート AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

設計と開発

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サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア
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シミュレーション・モデル

CSD25211W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM338A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

サポートとトレーニング

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