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CSD23280F3

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm のシングル LGA、116mΩ、–12V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • 低オン抵抗
  • 極低 Qg および Qgd
  • 高い動作ドレイン電流
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 超薄型プロファイル
    • 最大高 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低オン抵抗
  • 極低 Qg および Qgd
  • 高い動作ドレイン電流
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 超薄型プロファイル
    • 最大高 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この –12V、97mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。

この –12V、97mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。

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技術資料

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* データシート CSD23280F3 –12V P チャネル FemtoFET MOSFET データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 4月 13日
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その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日
技術記事 FemtoFET MOSFETs: small as sand but it’s all about that pitch PDF | HTML 2016年 6月 27日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P チャネルの評価基板

FemtoFET P チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 6 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET P チャネルの異なる型番が記載されています。  ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。  6 個の FemtoFET は 12V ~ 20V の範囲の Vds (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。

ユーザー ガイド: PDF
サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

シミュレーション・モデル

CSD23280F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM175A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
リファレンス・デザイン

TIDA-01589 — ノイズ リダクション / エコー キャンセレーション機能搭載、Hi-Fi、近距離、双方向オーディオのリファレンス デザイン

人間と機械との連携には、全二重のハンズフリー通信を行うための音響インターフェイスが必要です。ハンズフリー モードでは、スピーカーからの遠端または近端のオーディオ信号の一部がマイクロフォンにカップリングされます。さらに、ノイズの多い環境では、マイクロフォンが有用な近端オーディオ信号とともに、環境のノイズを拾う可能性があります。キャプチャされたマルチ マイクロフォンのオーディオ信号がバックグラウンドの音響ノイズやエコー信号の影響を受けることによって、目的の信号の明瞭度が低下し、それに続くオーディオ処理システムの性能に制約が生じます。このリファレンス デザインはステレオ ADC、ノイズ (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-01228 — 誘導性センシング使用の低消費電力水流測定のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、CC1350 SimpleLink™ ワイヤレス マイコンと FemtoFET™ MOSFET を使用して実装した誘導性センシング技術を使用した、このアプリケーション向けの高集積ソリューションを示します。また、このリファレンス デザインは、ワイヤレス M-Bus、Sigfox™、または独自プロトコルのようなワイヤレス通信を統合するためのプラットフォームも提供します。水道事業者が自動メータ読み取り(AMR)機能を追加しようとした場合、既存のメータすべてを置き換えるか、単純な電子機器のアドオン モジュールを設置するかの選択を迫られます。このアドオン (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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