ホーム パワー マネージメント MOSFET

CSD17382F4

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1 mm x 0.6mm の LGA 封止、シングル、67mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 67 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 82 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 2.1 QGD (typ) (nC) 0.63 QGS (typ) (nC) 0.41 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 ID - package limited (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 67 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 82 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 2.1 QGD (typ) (nC) 0.63 QGS (typ) (nC) 0.41 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 ID - package limited (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • 低オン抵抗
  • 低い Qg および Qgd
  • 低スレッショルド電圧
  • 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型プロファイル
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 3kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低オン抵抗
  • 低い Qg および Qgd
  • 低スレッショルド電圧
  • 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型プロファイル
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 3kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この 30V、54mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

.

.

.

.

.

この 30V、54mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

.

.

.

.

.

ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

お客様が関心を持ちそうな類似品

open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
CSD13383F4 アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1 mm x 0.6mm の LGA 封止、シングル、44mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET Alternate 12 V versus 30 V, lower resistance
CSD17381F4 アクティブ ゲートの ESD 保護機能搭載、1mm x 0.6mm の LGA 封止、117mΩ、シングル、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET Higher resistance, lower leakage

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
11 をすべて表示
上位の文書 タイプ タイトル フォーマットオプション 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD17382F4 30V N チャネル FemtoFET MOSFET データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2022年 4月 12日
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 5月 8日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技術記事 What type of ESD protection does your MOSFET include? PDF | HTML 2020年 6月 22日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

シミュレーション・モデル

CSD17382F4 TINA-TI Spice Model

SLPM202.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

CSD17382F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM177A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
計算ツール

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

リファレンス・デザイン

TIDA-010085 — デジタル アイソレータ使用、24 VAC マルチチャネル半導体リレーのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、単一の絶縁を使用するマルチチャネル ソリッドステート リレー (半導体リレー:SSR) を提示します。このデザインは、単一の絶縁型電源と、共通のグランドを共有するゲート ドライブ回路を使用した、マルチチャネル デジタル アイソレータにより、複数の SSR を互いに独立した形で制御します。本リファレンス デザインでは、24VAC 駆動リレーの電流定格は最大 2A です。しかし、最大 240VAC かつより大きい電流定格に拡張することもできます。各 SSR チャネルの専有面積は 75mm2 未満であり、各部品の最大の高さは約 3mm (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ