ホーム パワー マネージメント MOSFET

CSD19532Q5B

アクティブ

5mm x 6mm のシングル SON 封止、4.9mΩ、100V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 VGSTH typ (typ) (V) 2.6 QG (typ) (nC) 48 QGD (typ) (nC) 8.7 QGS (typ) (nC) 13 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 140 ID - package limited (A) 100 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 VGSTH typ (typ) (V) 2.6 QG (typ) (nC) 48 QGD (typ) (nC) 8.7 QGS (typ) (nC) 13 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 140 ID - package limited (A) 100 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² 6 x 5
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 100 V, 4 mΩ, SON 5-mm × 6-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 100 V, 4 mΩ, SON 5-mm × 6-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
12 をすべて表示
上位の文書 タイプ タイトル フォーマットオプション 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. B) PDF | HTML 2017年 6月 13日
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 5月 8日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 2023年 12月 6日
アプリケーション概要 Power MOSFET Body Diode Continuous Current Carrying Capability PDF | HTML 2023年 8月 29日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技術記事 What’s not in the power MOSFET data sheet, part 1: temperature dependency PDF | HTML 2020年 12月 30日
技術記事 How to select a MOSFET - Hot Swap PDF | HTML 2018年 4月 6日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

BQ76942EVM — 3S ~ 10S (10 個の直列)、リチウムイオン、リチウムポリマ、LiFePO4 向けバッテリ モニタとプロテクタの EVM (評価基板)

BQ76942EVM 評価基板 (EVM) は、3 セル~ 10 セルのリチウムイオン バッテリ モニタ IC である BQ76942 向けの包括的な評価システムです。この評価基板 (EVM) は、BQ76942 のモニタ機能をシンプルに評価する目的で使用する BQ76942 回路モジュールを採用しています。この回路モジュールは、1 個の BQ76942 IC、センス抵抗、複数のサーミスタ、複数のパワー FET に加えて、10 直列セルのリチウムイオンまたはリチウムポリマ バッテリ パックの過充電、過放電、短絡、過電流放電、過熱、低温からセルを保護するのに必要なすべてのオンボード (...)

ユーザー ガイド: PDF
評価ボード

DRV8353RH-EVM — DRV8353RH 3 相ブラシレス DC スマート ゲート ドライバの評価基板

DRV8353RH-EVM は、DRV8353RH ゲート ドライバと CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET ベース、15A、3 相ブラシレス DC ドライブ段です。

このモジュールには、個別の DC バス、位相電圧センス機能、さらに個別のローサイド電流シャント アンプが搭載されています。この評価基板はセンサレス BLDC アルゴリズムに最適な製品になっています。  この基板は、0.35A 降圧 (バック) レギュレータを内蔵しており、マイコンに 3.3V の電力を供給します。  このドライブ段には IDRIVE (...)

ユーザー ガイド: PDF
評価ボード

DRV8353RS-EVM — DRV8353RS 3 相ブラシレス DC スマート ゲート ドライバの評価基板 

DRV8353RS-EVM は、DRV8353RS ゲート ドライバと CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET ベース、15A、3 相ブラシレス DC ドライブ段です。

このモジュールには、個別の DC バス、位相電圧センス機能、さらに個別のローサイド電流シャント アンプが搭載されています。この評価基板はセンサレス BLDC アルゴリズムに最適な製品になっています。  この基板は、0.35A 降圧 (バック) レギュレータを内蔵しており、マイコンに 3.3V の電力を供給します。  このドライブ段には IDRIVE 構成機能、フォルトピン、および構成可能な SPI (...)

ユーザー ガイド: PDF
サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

シミュレーション・モデル

CSD19532Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM230.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

CSD19532Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM094A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
計算ツール

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

計算ツール

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

計算ツール

SLPR053 Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

計算ツール

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for synchronous boost converter applications.

サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

計算ツール

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 同期整流用の電力損失計算ツール

同期整流器アプリケーション向けの MOSFET 電力損失カリキュレータ

多くの TI リファレンス デザインには、CSD19532Q5B があります。

TI のリファレンス デザイン セレクション ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。

パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VSON-CLIP (DNK) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ