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CSD87312Q3E

アクティブ

3mm x 3mm のデュアル コモン ソース SON 封止、38mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 38 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6.3 QGD (typ) (nC) 0.7 QGS (typ) (nC) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 27 ID - package limited (A) 27 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 38 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6.3 QGD (typ) (nC) 0.7 QGS (typ) (nC) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 27 ID - package limited (A) 27 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DPA) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Common Source Connection
  • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Common Source Connection
  • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

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技術資料

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* データシート Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E データシート 2011年 11月 19日
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 5月 8日
アプリケーション・ノート Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs PDF | HTML 2024年 11月 6日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 2023年 12月 6日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

シミュレーション・モデル

CSD87312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM061B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VSON (DPA) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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