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CSD85312Q3E

アクティブ

3mm x 3mm のデュアル コモン ソース SON 封止、14mΩ、20V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DPA) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Common Source Connection
  • Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 × 3.3 mm Plastic
    Package
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Common Source Connection
  • Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 × 3.3 mm Plastic
    Package
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual N-channel device designed for adaptor or USB input protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual N-channel device designed for adaptor or USB input protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

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技術資料

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* データシート Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs, CSD85312Q3E データシート 2013年 11月 8日
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 5月 8日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 2023年 12月 6日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPS25830Q1EVM-040 — TPS25830-Q1 ケーブル補償機能と電流制限機能搭載、USB Type-C® と USB BC (バッテリ充電) 1.2 の評価基板

TPS25830Q1EVM-040 は、ケーブル補償機能搭載、USB Type-C® と BC1.2 に対応、5V、3.5A 出力、36V 入力の同期整流降圧向けの評価基板 (EVM) です。この評価基板 (EVM) は、電源端子台と、デバイスの充電やデータ通信を実施するための USB Type-A コネクタと USB Type-C コネクタを実装済みです。ケーブル補償、電流制限、DC/DC の動作周波数は、評価基板 (EVM) 上の抵抗を使用して調整できます。

ユーザー ガイド: PDF
評価ボード

TPS25831Q1EVM-062 — ケーブル補償機能と電流制限機能を搭載した TPS25831-Q1 USB Type-C と BC1.2 同期整流降圧の評価基板

開始に必要な事項
ステップ 1:ハードウェアを注文します
ステップ 2:評価基板ユーザー ガイドのダウンロード

ステップ 3:設計ガイドラインおよびアプリケーション ノートのダウンロード
ステップ 4:最新のリファレンス デザインをダウンロード

ユーザー ガイド: PDF
サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

シミュレーション・モデル

CSD85312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM095B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

リファレンス・デザイン

PMP40725 — CISPR 25 クラス 5 400kHz 定格 12W 車載用 USB Type-A チャージャ リファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、単一 12W 出力の車載 USB Type-A チャージャ向け EMI 最適化済みデザインです。TPS25846-Q1 は、DC/DC レギュレータとポート コントローラで使用できます。スイッチング周波数は 400kHz です。CISPR 25 Class 5 の厳格な伝導型電磁干渉(EMI)規格合格にするように、フロント エンド フィルタが設計され、PCB レイアウトが最適化されています。このリファレンス デザインは、CISPR 25 Class 5 の厳格な伝導型電磁干渉(EMI)規格に対して既にテスト済みです。
試験報告書: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

PMP40544 — 3m USB-IF 近端準拠の車載 USB Type-A 充電器のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、3m (3 メートル) のケーブル使用時に USB-IF ニア エンドの規格に準拠する、車載 USB Type-A チャージャを意図しています。TPS25840-Q1 を DC/DC レギュレータおよびデータ スイッチとして使用し、TUSB217-Q1 を信号品質を向上させるための高速シグナル コンディショナとして使用しています。このソリューションの効率は 12W 出力時に 93.3% であり、温度上昇は 20.5℃ で済みます。プログラマブル ケーブル ドループ補償は、負荷が重い状況でもポータブル (...)
試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VSON (DPA) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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