低消費電力 (100μA) でゲイン選択可能な計測アンプは、8 ピンの WSON (2mm x 2mm) パッケージに封止済み

製品詳細

Number of channels 1 Vs (max) (V) 5.5 Vs (min) (V) 1.8 Input offset (±) (max) (µV) 1200 Voltage gain (min) (V/V) 10 Voltage gain (max) (V/V) 50 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 43 Features Cost Optimized, Shutdown CMRR (min) (dB) 85 Iq (typ) (mA) 0.1 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 0.1 Gain error (±) (max) (%) 0.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Type Selectable gain Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.015 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.015 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 4
Number of channels 1 Vs (max) (V) 5.5 Vs (min) (V) 1.8 Input offset (±) (max) (µV) 1200 Voltage gain (min) (V/V) 10 Voltage gain (max) (V/V) 50 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 43 Features Cost Optimized, Shutdown CMRR (min) (dB) 85 Iq (typ) (mA) 0.1 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 0.1 Gain error (±) (max) (%) 0.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Type Selectable gain Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.015 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.015 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 4
SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm² 2.9 x 2.8 WSON (DSG) 8 4 mm² 2 x 2 X2QFN (RUG) 10 3 mm² 1.5 x 2
  • サイズ、コスト、消費電力の厳しい制約がある設計を最適化
  • 選択可能なゲイン・オプション
    • G = 10 または G = 20 (INA350ABS)
    • G = 30 または G = 50 (INA350CDS)
  • 省スペースの超小型パッケージ・オプション
    • 10 ピン X2QFN (RUG) - 3mm 2
    • 8 ピン WSON (DSG) - 4mm 2
    • 8 ピン SOT23-THN (DDF) - 4.64mm 2
  • 10 ビット~14 ビットのシステム向けに最適化された性能
    • CMRR:すべてのゲインで 95dB (標準値)
    • オフセット電圧:すべてのゲインで 0.2mV (標準値)
    • ゲイン誤差 (標準値):
      • G = 10 の場合は 0.05%、G = 20 の場合は 0.06%
      • G = 30 の場合は 0.075%、G = 50 の場合は 0.082%
  • 帯域幅:G = 10 の場合は 100kHz (標準値)
  • 20% 未満のオーバーシュートで 500pF を駆動 (標準値)
  • 最適化された静止電流:100 µA (標準値)
  • 消費電力の厳しい制約があるアプリケーション用のシャットダウン・オプション
  • 電源電圧範囲:1.8V (±0.9V)~5.5V (±2.75V)
  • 仕様温度範囲:-40℃~125℃
  • サイズ、コスト、消費電力の厳しい制約がある設計を最適化
  • 選択可能なゲイン・オプション
    • G = 10 または G = 20 (INA350ABS)
    • G = 30 または G = 50 (INA350CDS)
  • 省スペースの超小型パッケージ・オプション
    • 10 ピン X2QFN (RUG) - 3mm 2
    • 8 ピン WSON (DSG) - 4mm 2
    • 8 ピン SOT23-THN (DDF) - 4.64mm 2
  • 10 ビット~14 ビットのシステム向けに最適化された性能
    • CMRR:すべてのゲインで 95dB (標準値)
    • オフセット電圧:すべてのゲインで 0.2mV (標準値)
    • ゲイン誤差 (標準値):
      • G = 10 の場合は 0.05%、G = 20 の場合は 0.06%
      • G = 30 の場合は 0.075%、G = 50 の場合は 0.082%
  • 帯域幅:G = 10 の場合は 100kHz (標準値)
  • 20% 未満のオーバーシュートで 500pF を駆動 (標準値)
  • 最適化された静止電流:100 µA (標準値)
  • 消費電力の厳しい制約があるアプリケーション用のシャットダウン・オプション
  • 電源電圧範囲:1.8V (±0.9V)~5.5V (±2.75V)
  • 仕様温度範囲:-40℃~125℃

INA350 はゲイン選択可能な計測アンプで、INA350ABS と INA350CDS のバリアントで 4 つのゲイン・オプションが用意されており、小型パッケージで供給されます。INA350ABS は 10 または 20 のゲイン・オプション、INA350CDS は 30 または 50 のゲイン・オプションです。ゲイン選択 (GS) ピンを切り替えることで、これらのゲイン・オプションを選択できます。INA350 は、ブリッジ型のセンシングと、差動からシングルエンドへの変換のアプリケーションに最適です。

INA350 は、高精度でマッチングされた内蔵抵抗を搭載し、高精度外部抵抗や外部抵抗の厳密なマッチングを必要としないため、部品表 (BOM) コスト、ピック・アンド・プレース機械の処理コスト、基板面積を低減できます。このデバイスは低速の 10 ビットから 14 ビットの A/D コンバータ (ADC) に直接接続できるため、一般的なアンプやディスクリート抵抗を使用した計測アンプのディスクリート実装の代替に最適です。

INA350 は、その性能の実現に最適な 3 つのアンプのアーキテクチャで設計されています。85dB の最小 CMRR、最大ゲイン誤差 0.6%、すべてのゲイン・オプションで 1.2mV の最大オフセット、わずか 125µA の最大静止電流を実現しています。アイドル時にアンプをオフにするシャットダウン・オプションを内蔵し、バッテリ駆動アプリケーションでの消費電力をさらに低減できます。

INA350 はゲイン選択可能な計測アンプで、INA350ABS と INA350CDS のバリアントで 4 つのゲイン・オプションが用意されており、小型パッケージで供給されます。INA350ABS は 10 または 20 のゲイン・オプション、INA350CDS は 30 または 50 のゲイン・オプションです。ゲイン選択 (GS) ピンを切り替えることで、これらのゲイン・オプションを選択できます。INA350 は、ブリッジ型のセンシングと、差動からシングルエンドへの変換のアプリケーションに最適です。

INA350 は、高精度でマッチングされた内蔵抵抗を搭載し、高精度外部抵抗や外部抵抗の厳密なマッチングを必要としないため、部品表 (BOM) コスト、ピック・アンド・プレース機械の処理コスト、基板面積を低減できます。このデバイスは低速の 10 ビットから 14 ビットの A/D コンバータ (ADC) に直接接続できるため、一般的なアンプやディスクリート抵抗を使用した計測アンプのディスクリート実装の代替に最適です。

INA350 は、その性能の実現に最適な 3 つのアンプのアーキテクチャで設計されています。85dB の最小 CMRR、最大ゲイン誤差 0.6%、すべてのゲイン・オプションで 1.2mV の最大オフセット、わずか 125µA の最大静止電流を実現しています。アイドル時にアンプをオフにするシャットダウン・オプションを内蔵し、バッテリ駆動アプリケーションでの消費電力をさらに低減できます。

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技術資料

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* データシート INA350 コストとサイズの最適化、低消費電力、1.8V~5.5V、選択可能なゲインの計測アンプ データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 5月 30日
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設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

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ユーザー ガイド: PDF
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Bridge Sensor Solution TINA-TI Reference Design

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シミュレーション・モデル

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SBOMBZ2C.ZIP (47 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

INA350 G10 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

SBOMBY6C.TSC (65 KB) - TINA-TI Reference Design
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SBOMBY8B.ZIP (5 KB) - TINA-TI Spice Model
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INA350 G20 PSpice Model (Rev. C)

SBOMBY9C.ZIP (20 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

INA350 G20 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

SBOMBZ1C.TSC (65 KB) - TINA-TI Reference Design
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SBOMBZ0B.ZIP (5 KB) - TINA-TI Spice Model
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INA350 G30 PSpice Model (Rev. C)

SBOMBZ4C.ZIP (16 KB) - PSpice Model
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INA350 G50 PSpice Model (Rev. D)

SBOMBZ8D.ZIP (16 KB) - PSpice Model
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INA350 G50 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

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英語版 (Rev.A): PDF
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設計ガイド: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOT-23-THN (DDF) 8 Ultra Librarian
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian
X2QFN (RUG) 10 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
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  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

サポートとトレーニング

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