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OPA3S2859-EP

アクティブ

エンハンスド製品、デュアルチャネル、900MHz、2.2nV/√Hz、プログラマブル ゲイン トランスインピーダンス アンプ

製品詳細

Number of channels 2 GBW (typ) (MHz) 900 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.25 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3.3 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 8 Rail-to-rail No Features Shutdown BW at Acl (MHz) 1800 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating HiRel Enhanced Product
Number of channels 2 GBW (typ) (MHz) 900 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.25 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3.3 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 8 Rail-to-rail No Features Shutdown BW at Acl (MHz) 1800 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating HiRel Enhanced Product
WQFN (RTW) 24 16 mm² 4 x 4
  • ゲイン帯域幅積:900MHz
  • 内部スイッチでゲインをプログラム可能
  • 高インピーダンスの FET 入力
  • 入力電圧ノイズ:2.2nV/√Hz
  • スルーレート:350V/µs
  • 電源電圧範囲:3.3V~5.25V
  • 静止電流:22 mA/チャネル
  • パワーダウン・モードの IQ:75µA
  • 温度範囲:-55℃~125℃
  • 防衛、航空宇宙、および医療アプリケーションをサポート
    • 管理されたベースライン
    • 単一のアセンブリ/テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 長い製品ライフ・サイクル
    • 製品変更通知期間の延長
    • 製品のトレーサビリティ
  • ゲイン帯域幅積:900MHz
  • 内部スイッチでゲインをプログラム可能
  • 高インピーダンスの FET 入力
  • 入力電圧ノイズ:2.2nV/√Hz
  • スルーレート:350V/µs
  • 電源電圧範囲:3.3V~5.25V
  • 静止電流:22 mA/チャネル
  • パワーダウン・モードの IQ:75µA
  • 温度範囲:-55℃~125℃
  • 防衛、航空宇宙、および医療アプリケーションをサポート
    • 管理されたベースライン
    • 単一のアセンブリ/テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 長い製品ライフ・サイクル
    • 製品変更通知期間の延長
    • 製品のトレーサビリティ

OPA3S2859-EP は、広帯域トランスインピーダンスおよび電圧アンプ・アプリケーション用の、広帯域、低ノイズの CMOS 入力プログラマブル・ゲイン・アンプです。本デバイスをトランスインピーダンス・アンプ (TIA) として構成した場合、0.9GHz のゲイン帯域幅積 (GBWP) により、低容量フォトダイオード (PD) アプリケーションで高い閉ループ帯域幅を実現できます。

3 つの内部スイッチ付き帰還パスを利用し、スイッチなしの 1 つの並列帰還パスを任意で併用することで、最大 4 つのゲイン構成を選択できます。スイッチを内蔵することで、ディスクリートの外付けスイッチを使うシステムに比べて、寄生素子による影響を最小限に抑え、性能を向上させることができます。各スイッチは、広ダイナミック・レンジ・アプリケーションに対応して、1kΩ 未満から 100kΩ を上回る範囲の帰還抵抗値に最適化されています。スイッチ・パスの選択は、どちらのチャネルも 2 線式パラレル・インターフェイスを使って制御されます。選択された各チャネルに対して、ラッチ・ピンをアサートすることでゲイン・パスが変わらないようにすることもできます。これにより、選択されたチャネルのスイッチ制御を無効にし、チャネルのゲインが変わらないようにできます。

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OPA3S2859-EP は、広帯域トランスインピーダンスおよび電圧アンプ・アプリケーション用の、広帯域、低ノイズの CMOS 入力プログラマブル・ゲイン・アンプです。本デバイスをトランスインピーダンス・アンプ (TIA) として構成した場合、0.9GHz のゲイン帯域幅積 (GBWP) により、低容量フォトダイオード (PD) アプリケーションで高い閉ループ帯域幅を実現できます。

3 つの内部スイッチ付き帰還パスを利用し、スイッチなしの 1 つの並列帰還パスを任意で併用することで、最大 4 つのゲイン構成を選択できます。スイッチを内蔵することで、ディスクリートの外付けスイッチを使うシステムに比べて、寄生素子による影響を最小限に抑え、性能を向上させることができます。各スイッチは、広ダイナミック・レンジ・アプリケーションに対応して、1kΩ 未満から 100kΩ を上回る範囲の帰還抵抗値に最適化されています。スイッチ・パスの選択は、どちらのチャネルも 2 線式パラレル・インターフェイスを使って制御されます。選択された各チャネルに対して、ラッチ・ピンをアサートすることでゲイン・パスが変わらないようにすることもできます。これにより、選択されたチャネルのスイッチ制御を無効にし、チャネルのゲインが変わらないようにできます。

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OPA3S2859 アクティブ デュアルチャネル、900MHz、2.2nV/√Hz、プログラマブル ゲイン トランスインピーダンス アンプ A standard industrial-grade version of the OPA3S2859 with the same pinout

技術資料

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* データシート OPA3S2859-EP エンハンスド製品、デュアルチャネル、900MHz、2.2nV/√Hz、プログラマブル・ゲイン・トランスインピーダンス・アンプ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 2月 24日
* 放射線と信頼性レポート OPA3S2859-EP Reliability Report 2021年 12月 9日
アプリケーション・ノート 高速データ変換 英語版 2009年 12月 11日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

OPA3S2859RTWEVM — OPA3S2859-EP 900MHz、2.5nV/√Hz、プログラマブル ゲイン トランスインピーダンス アンプの評価基板

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ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

OPA3S2859 and OPA3S2859-EP PSpice Model

SBOMBN0.ZIP (139 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

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ユーザー ガイド: PDF
英語版 (Rev.A): PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
WQFN (RTW) 24 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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